【盘中宝】未来3至5年或都呈供不应求态势，这类半导体下游绑定新能源车、光伏、储能，这家公司刚刚拿下相关产品大单

财联社资讯获悉，全球来看，碳化硅产业年复合成长率至少为40%；未来3至5年内各环节都呈供不应求态势……对于碳化硅的“火热”，多位业内人士表示，近期国内在碳化硅产业链上密集投资、全方位布局，但鉴于“有效产能”远低于宣布的产能，碳化硅的供不应求状况可能持续更久。A股多家上市公司已经通过投资项目、参股初创公司等多种方式，深度布局碳化硅产业链，部分公司也在近期披露了最新进展。

一、衬底是碳化硅产业链的核心环节

第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47%、23%、19%。机构认为，衬底是碳化硅产业链的核心环节，衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。

根据Yole Development，SiC功率器件市场规模将从2019年的5.41亿美元增至2025年的25.62亿美元，复合年均增长率达30%。其中，新能源汽车市场预计从2019年的2.25亿美元上升到2025年的15.53亿美元，复合年均增长率为38%，占比达 60%。光伏和储能位居第二，市场规模为3.14亿美元。充电基础设施将成为下游增长最快的应用，所用SiC功率器件规模也将从 2019 年的0.05亿美元大幅上涨至2025年的2.25亿美元，复合年均增长率达到90%。

二、我国厂商市占率快速上升

东方财富证券分析指出，本土替代方面，我国SiC研发及工业化起步晚，海外厂商仍占主导，2021年全球SiC衬底市场仅美国厂商就占据逾76%的份额。但我国厂商产品迭代加速，研发时间较海外厂商更短，且性能参数均可对标，市占率呈快速上升趋势。成本方面，后道的冷切割、高速抛光等工艺及尺寸的扩大提升了晶片的加工效率及使用效率，使SiC器件与Si器件价差逐渐缩小。良率方面，针对影响良率的温度控制、晶型控制等难题，国内已有先进设备和专利技术，随着学界和业界的持续探索，SiC良率提升未来可期。

三、相关上市公司：东尼电子、天岳先进、三安光电

东尼电子日前公告，子公司东尼半导体2023年向客户T交付6英寸碳化硅衬底13.5万片，其中MOS比例不低于当月交货20%，含税单价5000元/片，销售金额合计6.75亿元。2024年、2025年分别向该客户交付6英寸碳化硅衬底30万片和50万片。

天岳先进自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术，较早在国内实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产业化，成为全球少数能批量供应高质量4英寸半绝缘型碳化硅衬底的企业，完成了6英寸导电型碳化硅衬底的研发并开始了小批量销售。

三安光电集成电路业务涉及射频前端、电力电子、光技术，子公司湖南三安电力电子碳化硅产能6000片/月、电力电子硅基氮化镓产能1000片/月。

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